耐磨鋼板具有強的抗輻射能力；作為耐磨材料耐磨鋼板的轉換效率高等。目前,InP納米材料的制備及性能等系統的研究較少,尤其對InP納米球和InP納米線材料的研究比較少見,其生長機理仍不夠清楚。采用溶劑熱法合成InP納米球和InP納米線,系統考察了反應條件對產物InP結構與性能的影響,分析了InP納米球和InP納米線的生長過程,為InP材料的制備及進一步應用提供了理論基礎。
適合制作高頻微波器件和電路的耐磨鋼板是一種直接帶隙半導體材料,在室溫下的禁帶寬度為1.35 eV,具有較大的激子波爾半徑(aB=14nm),與Ge、Si相比,化合物半導體InP具有許多優點：具有直接躍遷型能帶結構,高的光電轉換效率；電子遷移率高,易于制成半絕緣材料,利用X射線衍射儀(XRD)、場發射掃描電鏡(FESEM)、能譜儀(EDS)和光致發光儀(PL)對產物的結構、形貌、成分和光學性能進行了耐磨鋼板分析表征。得到的耐磨鋼板主要研究結果如下：采用溶劑熱法,以InCl3·4H2O和P4為主要原料,制得InP納米球。
考察InCl3·4H2O和P4不同的摩爾比、反應溫度、反應時間、有機溶劑種類(二乙醇胺和三乙醇胺)、水與有機溶劑的體積比、還原劑種類和不同銦源(氯化銦和硝酸銦)等反應條件對產物結構、形貌及性能的影響,得到制備耐磨鋼板的較好反應條件。以單質In和P4為主要原料,去離子水-乙醇胺為溶劑,采用溶劑熱法制得InP納米球。考察In和P4的摩爾比、水與乙醇胺的體積比、體系的反應溫度和還原劑種類等對產物的影響,得到制備InP納米球的較好反應條件。